NTD4909NT4G
NTD4909NT4G
Part Number:
NTD4909NT4G
Výrobce:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Popis:
MOSFET N-CH 30V 8.8A SGL DPAK
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
12201 Pieces
Datový list:
NTD4909NT4G.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro NTD4909NT4G, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu NTD4909NT4G e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit NTD4909NT4G s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:2.2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:DPAK
Série:-
RDS On (Max) @ Id, Vgs:8 mOhm @ 30A, 10V
Ztráta energie (Max):1.37W (Ta), 29.4W (Tc)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ostatní jména:NTD4909NT4G-ND
NTD4909NT4GOSTR
Provozní teplota:-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:18 Weeks
Výrobní číslo výrobce:NTD4909NT4G
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:1314pF @ 15V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:17.5nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 30V 8.8A (Ta), 41A (Tc) 1.37W (Ta), 29.4W (Tc) Surface Mount DPAK
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):4.5V, 10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):30V
Popis:MOSFET N-CH 30V 8.8A SGL DPAK
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:8.8A (Ta), 41A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře