Koupit NTD23N03R-001 s BYCHPS
Koupit se zárukou
NTD23N03R-001
- Part Number:
- NTD23N03R-001
- Popis:
- MOSFET N-CH 25V 3.8A IPAK
- Stav volného vedení / RoHS:
- Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
- dostupné množství:
- 13650 Pieces
- Datový list:
- NTD23N03R-001.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro NTD23N03R-001, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu NTD23N03R-001 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Vgs (th) (max) 'Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | I-Pak |
| Série: | - |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 45 mOhm @ 6A, 10V |
| Ztráta energie (Max): | 1.14W (Ta), 22.3W (Tc) |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Ostatní jména: | NTD23N03R-001OS |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní číslo výrobce: | NTD23N03R-001 |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 225pF @ 20V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.76nC @ 4.5V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Rozšířený popis: | N-Channel 25V 3.8A (Ta), 17.1A (Tc) 1.14W (Ta), 22.3W (Tc) Through Hole I-Pak |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 25V |
| Popis: | MOSFET N-CH 25V 3.8A IPAK |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 3.8A (Ta), 17.1A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro NTD23N03R-001
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
NTD23N03R-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 3.8A IPAK | Dotaz |
 |
NTD23N03R | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK | Dotaz |
|
NTD23N03RT4 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK | Dotaz |
|
NTD23N03RT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK | Dotaz |
|
NTD23N03RG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog