NTD20N06L-1G
NTD20N06L-1G
Part Number:
NTD20N06L-1G
Výrobce:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Popis:
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
12053 Pieces
Datový list:
NTD20N06L-1G.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro NTD20N06L-1G, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu NTD20N06L-1G e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit NTD20N06L-1G s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:2V @ 250µA
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:I-Pak
Série:-
RDS On (Max) @ Id, Vgs:48 mOhm @ 10A, 5V
Ztráta energie (Max):1.36W (Ta), 60W (Tj)
Obal:Tube
Paket / krabice:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Provozní teplota:-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže:Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní číslo výrobce:NTD20N06L-1G
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:990pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:32nC @ 5V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 60V 20A (Ta) 1.36W (Ta), 60W (Tj) Through Hole I-Pak
Drain na zdroj napětí (Vdss):60V
Popis:MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:20A (Ta)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře