NTB18N06LT4G
NTB18N06LT4G
Part Number:
NTB18N06LT4G
Výrobce:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Popis:
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
14359 Pieces
Datový list:
NTB18N06LT4G.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro NTB18N06LT4G, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu NTB18N06LT4G e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit NTB18N06LT4G s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:2V @ 250µA
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:D2PAK
Série:-
RDS On (Max) @ Id, Vgs:100 mOhm @ 7.5A, 5V
Ztráta energie (Max):48.4W (Tc)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ostatní jména:NTB18N06LT4GOS
NTB18N06LT4GOS-ND
NTB18N06LT4GOSTR
Provozní teplota:-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní číslo výrobce:NTB18N06LT4G
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:440pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 5V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 60V 15A (Tc) 48.4W (Tc) Surface Mount D2PAK
Drain na zdroj napětí (Vdss):60V
Popis:MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:15A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře