Koupit NGTB25N120FL3WG s BYCHPS
Koupit se zárukou
NGTB25N120FL3WG
- Part Number:
- NGTB25N120FL3WG
- Popis:
- IGBT 1200V 100A TO247
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 18472 Pieces
- Datový list:
- NGTB25N120FL3WG.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro NGTB25N120FL3WG, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu NGTB25N120FL3WG e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 1200V |
|---|---|
| VCE (o) (Max) @ VGE, Ic: | 2.4V @ 15V, 25A |
| Zkušební podmínky: | 600V, 25A, 10 Ohm, 15V |
| Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C: | 15ns/109ns |
| přepínání energie: | 1mJ (on), 700µJ (off) |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-247-3 |
| Série: | - |
| Reverse Time Recovery (TRR): | 114ns |
| Power - Max: | 349W |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-247-3 |
| Ostatní jména: | NGTB25N120FL3WGOS |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Výrobní standardní doba výroby: | 5 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | NGTB25N120FL3WG |
| Typ vstupu: | Standard |
| Typ IGBT: | Trench Field Stop |
| Gate Charge: | 136nC |
| Rozšířený popis: | IGBT Trench Field Stop 1200V 100A 349W Through Hole TO-247-3 |
| Popis: | IGBT 1200V 100A TO247 |
| Aktuální - sběratel Pulsní (ICM): | 100A |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 100A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro NGTB25N120FL3WG
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
NGTB25N120FLWG | ON Semiconductor | IGBT 1200V 25A TO247-3 | Dotaz |
|
NGTB25N120FL2WG | ON Semiconductor | IGBT 1200V 25A TO247-3 | Dotaz |
|
NGTB25N120SWG | ON Semiconductor | IGBT 25A 1200V TO-247 | Dotaz |
|
NGTB25N120IHLWG | ON Semiconductor | IGBT 1200V 50A 192W TO247-3 | Dotaz |
|
NGTB25N120LWG | ON Semiconductor | IGBT 1200V 50A 192W TO247-3 | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog