Koupit MRF8VP13350GNR3 s BYCHPS
Koupit se zárukou
MRF8VP13350GNR3
- Part Number:
- MRF8VP13350GNR3
- Výrobce:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Popis:
- TRANS RF LDMOS 350W 50V
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 14251 Pieces
- Datový list:
- 1.MRF8VP13350GNR3.pdf2.MRF8VP13350GNR3.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro MRF8VP13350GNR3, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu MRF8VP13350GNR3 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Napětí - Test: | 50V |
|---|---|
| Napětí - Jmenovitá: | 100V |
| Transistor Type: | LDMOS (Dual) |
| Dodavatel zařízení Package: | OM-780G-4L |
| Série: | - |
| Power - Výstup: | 350W |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | OM-780G-4L |
| Ostatní jména: | 935320727528 |
| hluk Obrázek: | - |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 10 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | MRF8VP13350GNR3 |
| Získat: | 19.2dB |
| Frekvence: | 1.3GHz |
| Rozšířený popis: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 100mA 1.3GHz 19.2dB 350W OM-780G-4L |
| Popis: | TRANS RF LDMOS 350W 50V |
| Jmenovitá hodnota proudu: | - |
| Aktuální - Test: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro MRF8VP13350GNR3
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF6G27-100,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V SOT502A | Dotaz |
 |
MRF7S38010HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 3.6GHZ NI-400 | Dotaz |
|
ON5448,518 | NXP USA Inc. | MOSFET RF 64QFP | Dotaz |
|
MRF5S4140HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 465MHZ NI-780S | Dotaz |
|
MRF8S18120HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.81GHZ NI-780S | Dotaz |
|
A2I25D025GNR1 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Dotaz |
 |
MRF8VP13350NR3 | NXP USA Inc. | TRANS RF LDMOS 350W 50V | Dotaz |
|
BLF2425M8L140J | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A | Dotaz |
 |
MRF6S21050LR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.16GHZ NI-400 | Dotaz |
|
MRF9030NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 945MHZ TO272-2 | Dotaz |
 |
BLM7G22S-60PBY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121 | Dotaz |
 |
MRF18090AR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.81GHZ NI-880 | Dotaz |
 |
PTVA120251EAV2R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | Dotaz |
 |
BLF7G20LS-140P,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers