Koupit MRF7P20040HSR3 s BYCHPS
Koupit se zárukou
MRF7P20040HSR3
- Part Number:
- MRF7P20040HSR3
- Výrobce:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Popis:
- FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780HS-4
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 17670 Pieces
- Datový list:
- MRF7P20040HSR3.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro MRF7P20040HSR3, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu MRF7P20040HSR3 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Napětí - Test: | 32V |
|---|---|
| Napětí - Jmenovitá: | 65V |
| Transistor Type: | LDMOS (Dual) |
| Dodavatel zařízení Package: | NI-780S-4 |
| Série: | - |
| Power - Výstup: | 10W |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | NI-780S-4 |
| Ostatní jména: | 935310091128 |
| hluk Obrázek: | - |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Výrobní číslo výrobce: | MRF7P20040HSR3 |
| Získat: | 18.2dB |
| Frekvence: | 2.03GHz |
| Rozšířený popis: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 32V 150mA 2.03GHz 18.2dB 10W NI-780S-4 |
| Popis: | FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780HS-4 |
| Jmenovitá hodnota proudu: | - |
| Aktuální - Test: | 150mA |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro MRF7P20040HSR3
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF7P20040HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780HS-4 | Dotaz |
 |
MRF7P20040HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780H-4 | Dotaz |
 |
MRF8S9100HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 70V 920MHZ NI-780 | Dotaz |
 |
275X2-102N06A-00 | IXYS | RF MOSFET 2N-CHANNEL DE275 | Dotaz |
 |
MRF8S7170NR3 | NXP USA Inc. | FET RF 70V 748MHZ OM780-2 | Dotaz |
 |
PTVA123501FCV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-37248-2 | Dotaz |
 |
BLA1011-2,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 75V 16DB SOT538A | Dotaz |
 |
BLF6G10-160RN,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502A | Dotaz |
|
MRF5S19090HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S | Dotaz |
 |
BLP8G05S-200Y | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT11382 | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers