Koupit IXTQ180N055T s BYCHPS
Koupit se zárukou
| Vgs (th) (max) 'Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-3P |
| Série: | - |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 4 mOhm @ 50A, 10V |
| Ztráta energie (Max): | - |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Provozní teplota: | - |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní číslo výrobce: | IXTQ180N055T |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 5800pF @ 25V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 160nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Rozšířený popis: | N-Channel 55V 180A (Tc) Through Hole TO-3P |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 55V |
| Popis: | MOSFET N-CH 55V 180A TO-3P |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 180A (Tc) |
| Email: | [email protected] |