Koupit IXTP60N10T s BYCHPS
Koupit se zárukou
| Vgs (th) (max) 'Id: | 4.5V @ 50µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-220AB |
| Série: | TrenchMV™ |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 18 mOhm @ 25A, 10V |
| Ztráta energie (Max): | 176W (Tc) |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-220-3 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 8 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | IXTP60N10T |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 2650pF @ 25V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 49nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Rozšířený popis: | N-Channel 100V 60A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 100V |
| Popis: | MOSFET N-CH 100V 60A TO-220 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 60A (Tc) |
| Email: | [email protected] |