IXTA1N100P
IXTA1N100P
Part Number:
IXTA1N100P
Výrobce:
IXYS Corporation
Popis:
MOSFET N-CH 1000V 1A TO-263
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
15829 Pieces
Datový list:
IXTA1N100P.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro IXTA1N100P, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IXTA1N100P e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit IXTA1N100P s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:4.5V @ 50µA
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:TO-263 (IXTA)
Série:Polar™
RDS On (Max) @ Id, Vgs:15 Ohm @ 500mA, 10V
Ztráta energie (Max):50W (Tc)
Obal:Tube
Paket / krabice:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:8 Weeks
Výrobní číslo výrobce:IXTA1N100P
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:331pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:15.5nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 1000V (1kV) 1A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Drain na zdroj napětí (Vdss):1000V (1kV)
Popis:MOSFET N-CH 1000V 1A TO-263
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:1A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře