Koupit IXFR80N50Q3 s BYCHPS
Koupit se zárukou
IXFR80N50Q3
- Part Number:
- IXFR80N50Q3
- Výrobce:
- IXYS Corporation
- Popis:
- MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 18917 Pieces
- Datový list:
- IXFR80N50Q3.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro IXFR80N50Q3, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IXFR80N50Q3 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Vgs (th) (max) 'Id: | 6.5V @ 8mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | ISOPLUS247™ |
| Série: | HiPerFET™ |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 72 mOhm @ 40A, 10V |
| Ztráta energie (Max): | 570W (Tc) |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-247-3 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 20 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | IXFR80N50Q3 |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 10000pF @ 25V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 200nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Rozšířený popis: | N-Channel 500V 50A (Tc) 570W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™ |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 500V |
| Popis: | MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IXFR80N50Q3
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFR80N20Q | IXYS | MOSFET N-CH 200V 71A ISOPLUS247 | Dotaz |
|
IXFR80N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247 | Dotaz |
 |
SIR472DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 | Dotaz |
 |
BSO200N03S | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO | Dotaz |
|
IXFR80N15Q | IXYS | MOSFET N-CH 150V 75A ISOPLUS247 | Dotaz |
 |
EPC2039ENGRT | EPC | TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE | Dotaz |
 |
PMN55LN,135 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 4.1A 6TSOP | Dotaz |
 |
IPI037N08N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3 | Dotaz |
|
IXFR80N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 48A ISOPLUS247 | Dotaz |
|
IXFR80N10Q | IXYS | MOSFET N-CH 100V 76A ISOPLUS247 | Dotaz |
 |
AON6526 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 24A DFN5X6 | Dotaz |
 |
AO4576 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC | Dotaz |
 |
SPD30P06P G | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3 | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog