Koupit IXFR20N120P s BYCHPS
Koupit se zárukou
IXFR20N120P
- Part Number:
- IXFR20N120P
- Výrobce:
- IXYS Corporation
- Popis:
- MOSFET N-CH 1200V 13A ISOPLUS247
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 18322 Pieces
- Datový list:
- IXFR20N120P.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro IXFR20N120P, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IXFR20N120P e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Vgs (th) (max) 'Id: | 6.5V @ 1mA |
|---|---|
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | ISOPLUS247™ |
| Série: | HiPerFET™, PolarP2™ |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 630 mOhm @ 10A, 10V |
| Ztráta energie (Max): | 290W (Tc) |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | ISOPLUS247™ |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 8 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | IXFR20N120P |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 11100pF @ 25V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 193nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Rozšířený popis: | N-Channel 1200V (1.2kV) 13A (Tc) 290W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™ |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Popis: | MOSFET N-CH 1200V 13A ISOPLUS247 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 13A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IXFR20N120P
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFR20N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS247 | Dotaz |
|
IXFR20N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 11A ISOPLUS247 | Dotaz |
|
IXFR26N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 15A ISOPLUS247 | Dotaz |
|
IXFR26N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247 | Dotaz |
|
IXFR24N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247 | Dotaz |
|
IXFR26N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A ISOPLUS247 | Dotaz |
|
IXFR24N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS247 | Dotaz |
|
IXFR27N80Q | IXYS | MOSFET N-CH 800V 27A ISOPLUS247 | Dotaz |
|
IXFR25N90 | IXYS | MOSFET N-CH 900V 25A ISOPLUS247 | Dotaz |
|
IXFR26N60Q | IXYS | MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS247 | Dotaz |
|
IXFR24N90P | IXYS | MOSFET N-CH 900V 13A ISOPLUS247 | Dotaz |
|
IXFR200N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247 | Dotaz |
|
IXFR26N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 15A ISOPLUS247 | Dotaz |
|
IXFR24N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 22A ISOPLUS247 | Dotaz |
|
IXFR24N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 22A ISOPLUS247 | Dotaz |
|
IXFR230N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 156A ISOPLUS247 | Dotaz |
|
IXFR24N90Q | IXYS | MOSFET N-CH 900V ISOPLUS247 | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog