IXFN26N100P
IXFN26N100P
Part Number:
IXFN26N100P
Výrobce:
IXYS Corporation
Popis:
MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
15255 Pieces
Datový list:
IXFN26N100P.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro IXFN26N100P, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IXFN26N100P e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit IXFN26N100P s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:6.5V @ 1mA
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:SOT-227B
Série:Polar™
RDS On (Max) @ Id, Vgs:390 mOhm @ 13A, 10V
Ztráta energie (Max):595W (Tc)
Obal:Tube
Paket / krabice:SOT-227-4, miniBLOC
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Chassis Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:8 Weeks
Výrobní číslo výrobce:IXFN26N100P
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:11900pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:197nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 1000V (1kV) 23A 595W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Drain na zdroj napětí (Vdss):1000V (1kV)
Popis:MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:23A
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře