IXFK102N30P
IXFK102N30P
Part Number:
IXFK102N30P
Výrobce:
IXYS Corporation
Popis:
MOSFET N-CH 300V 102A TO-264
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
15364 Pieces
Datový list:
IXFK102N30P.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro IXFK102N30P, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IXFK102N30P e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit IXFK102N30P s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:5V @ 4mA
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:TO-264AA (IXFK)
Série:PolarHT™ HiPerFET™
RDS On (Max) @ Id, Vgs:33 mOhm @ 500mA, 10V
Ztráta energie (Max):700W (Tc)
Obal:Bulk
Paket / krabice:TO-264-3, TO-264AA
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:8 Weeks
Výrobní číslo výrobce:IXFK102N30P
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:7500pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:224nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 300V 102A (Tc) 700W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Drain na zdroj napětí (Vdss):300V
Popis:MOSFET N-CH 300V 102A TO-264
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:102A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře