IRFH6200TRPBF
IRFH6200TRPBF
Part Number:
IRFH6200TRPBF
Výrobce:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Popis:
MOSFET N-CH 20V 45A 8-PQFN
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
15939 Pieces
Datový list:
IRFH6200TRPBF.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro IRFH6200TRPBF, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IRFH6200TRPBF e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit IRFH6200TRPBF s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:1.1V @ 150µA
Vgs (Max):±12V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:PQFN (5x6)
Série:HEXFET®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:0.95 mOhm @ 50A, 10V
Ztráta energie (Max):3.6W (Ta), 156W (Tc)
Obal:Original-Reel®
Paket / krabice:8-PowerVDFN
Ostatní jména:IRFH6200TRPBFDKR
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:16 Weeks
Výrobní číslo výrobce:IRFH6200TRPBF
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:10890pF @ 10V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:230nC @ 4.5V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 20V 49A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):2.5V, 10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):20V
Popis:MOSFET N-CH 20V 45A 8-PQFN
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:49A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře