IRFD110PBF
IRFD110PBF
Part Number:
IRFD110PBF
Výrobce:
Vishay / Siliconix
Popis:
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
18651 Pieces
Datový list:
IRFD110PBF.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro IRFD110PBF, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IRFD110PBF e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit IRFD110PBF s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Série:-
RDS On (Max) @ Id, Vgs:540 mOhm @ 600mA, 10V
Ztráta energie (Max):1.3W (Ta)
Obal:Tube
Paket / krabice:4-DIP (0.300", 7.62mm)
Ostatní jména:*IRFD110PBF
Provozní teplota:-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže:Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:10 Weeks
Výrobní číslo výrobce:IRFD110PBF
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:180pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:8.3nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 100V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):100V
Popis:MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:1A (Ta)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře