Koupit IRF7492TR s BYCHPS
Koupit se zárukou
Vgs (th) (max) 'Id: | 2.5V @ 250µA |
---|---|
Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
Dodavatel zařízení Package: | 8-SO |
Série: | HEXFET® |
RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 79 mOhm @ 2.2A, 10V |
Ztráta energie (Max): | 2.5W (Ta) |
Obal: | Tape & Reel (TR) |
Paket / krabice: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Ostatní jména: | IRF7492TRTR |
Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Typ montáže: | Surface Mount |
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
Výrobní číslo výrobce: | IRF7492TR |
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 1820pF @ 25V |
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 59nC @ 10V |
Typ FET: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Rozšířený popis: | N-Channel 200V 3.7A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
Drain na zdroj napětí (Vdss): | 200V |
Popis: | MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC |
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 3.7A (Ta) |
Email: | [email protected] |