Koupit IPZ60R099P6FKSA1 s BYCHPS
Koupit se zárukou
IPZ60R099P6FKSA1
- Part Number:
- IPZ60R099P6FKSA1
- Popis:
- MOSFET N-CH 600V TO247-4
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 15968 Pieces
- Datový list:
- IPZ60R099P6FKSA1.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro IPZ60R099P6FKSA1, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IPZ60R099P6FKSA1 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Vgs (th) (max) 'Id: | 4.5V @ 1.21mA |
|---|---|
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | PG-TO247-4 |
| Série: | CoolMOS™ P6 |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 99 mOhm @ 14.5A, 10V |
| Ztráta energie (Max): | 278W (Tc) |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-247-4 |
| Ostatní jména: | SP001313882 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní číslo výrobce: | IPZ60R099P6FKSA1 |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 3330pF @ 100V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 70nC @ 10V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET Feature: | - |
| Rozšířený popis: | P-Channel 600V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-4 |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 600V |
| Popis: | MOSFET N-CH 600V TO247-4 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 37.9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IPZ60R099P6FKSA1
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
AON6914 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH | Dotaz |
 |
IPZ60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4 | Dotaz |
|
IPZ60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4 | Dotaz |
|
IPZ60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4 | Dotaz |
 |
IPZ60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | Dotaz |
 |
FQAF19N60 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 11.2A TO-3PF | Dotaz |
 |
STW75NF20 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 75A TO-247 | Dotaz |
|
IPZ60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4 | Dotaz |
|
IPZ60R070P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO247-4 | Dotaz |
|
IPZ60R041P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO247-4 | Dotaz |
|
IPZ60R125P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO247-4 | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog