Koupit IPU050N03L G s BYCHPS
Koupit se zárukou
Vgs (th) (max) 'Id: | 2.2V @ 250µA |
---|---|
Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
Dodavatel zařízení Package: | PG-TO251-3 |
Série: | OptiMOS™ |
RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 5 mOhm @ 30A, 10V |
Ztráta energie (Max): | 68W (Tc) |
Obal: | Tube |
Paket / krabice: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Ostatní jména: | IPU050N03LGIN IPU050N03LGXK SP000271468 |
Provozní teplota: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Typ montáže: | Through Hole |
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
Výrobní číslo výrobce: | IPU050N03L G |
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 3200pF @ 15V |
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 31nC @ 10V |
Typ FET: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Rozšířený popis: | N-Channel 30V 50A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 |
Drain na zdroj napětí (Vdss): | 30V |
Popis: | MOSFET N-CH 30V 50A IPAK |
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
Email: | [email protected] |