IPI147N12N3GAKSA1
IPI147N12N3GAKSA1
Part Number:
IPI147N12N3GAKSA1
Výrobce:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Popis:
MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
15086 Pieces
Datový list:
IPI147N12N3GAKSA1.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro IPI147N12N3GAKSA1, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IPI147N12N3GAKSA1 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit IPI147N12N3GAKSA1 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:4V @ 61µA
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:PG-TO262-3
Série:OptiMOS™
RDS On (Max) @ Id, Vgs:14.7 mOhm @ 56A, 10V
Ztráta energie (Max):107W (Tc)
Obal:Tube
Paket / krabice:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Ostatní jména:IPI147N12N3 G
IPI147N12N3 G-ND
IPI147N12N3G
SP000652744
Provozní teplota:-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže:Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:14 Weeks
Výrobní číslo výrobce:IPI147N12N3GAKSA1
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:3220pF @ 60V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:49nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 120V 56A (Ta) 107W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Drain na zdroj napětí (Vdss):120V
Popis:MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:56A (Ta)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře