IPI037N06L3GHKSA1
IPI037N06L3GHKSA1
Part Number:
IPI037N06L3GHKSA1
Výrobce:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Popis:
MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
18261 Pieces
Datový list:
IPI037N06L3GHKSA1.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro IPI037N06L3GHKSA1, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IPI037N06L3GHKSA1 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit IPI037N06L3GHKSA1 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:2.2V @ 93µA
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:PG-TO262-3
Série:OptiMOS™
RDS On (Max) @ Id, Vgs:3.7 mOhm @ 90A, 10V
Ztráta energie (Max):167W (Tc)
Obal:Tube
Paket / krabice:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Ostatní jména:IPI037N06L3 G
IPI037N06L3 G-ND
SP000397910
Provozní teplota:-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže:Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní číslo výrobce:IPI037N06L3GHKSA1
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:13000pF @ 30V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:79nC @ 4.5V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 60V 90A (Tc) 167W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Drain na zdroj napětí (Vdss):60V
Popis:MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:90A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře