Koupit IPD90N04S403ATMA1 s BYCHPS
Koupit se zárukou
IPD90N04S403ATMA1
- Part Number:
- IPD90N04S403ATMA1
- Popis:
- MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 14140 Pieces
- Datový list:
- IPD90N04S403ATMA1.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro IPD90N04S403ATMA1, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IPD90N04S403ATMA1 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Vgs (th) (max) 'Id: | 4V @ 53µA |
|---|---|
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | PG-TO252-3-313 |
| Série: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 3.2 mOhm @ 90A, 10V |
| Ztráta energie (Max): | 94W (Tc) |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Ostatní jména: | IPD90N04S4-03 IPD90N04S4-03-ND SP000671630 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 26 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | IPD90N04S403ATMA1 |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 5260pF @ 25V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 66.8nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Rozšířený popis: | N-Channel 40V 90A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313 |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 40V |
| Popis: | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 90A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IPD90N04S403ATMA1
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD90N04S404ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313 | Dotaz |
|
IPD90N04S402ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313 | Dotaz |
 |
IPD90N04S304ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 | Dotaz |
|
IPD90N04S405ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3-313 | Dotaz |
|
IPD90N04S4L04ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313 | Dotaz |
|
IPD90N06S4L06ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 | Dotaz |
|
IPD90N06S407ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 | Dotaz |
|
IPD90N04S3H4ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 | Dotaz |
|
IPD90N06S4L06ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 | Dotaz |
|
IPD90N06S404ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog