IPD60R360P7ATMA1
Part Number:
IPD60R360P7ATMA1
Výrobce:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Popis:
MOSFET N-CH 650V 9A TO252-3
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
17561 Pieces
Datový list:
IPD60R360P7ATMA1.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro IPD60R360P7ATMA1, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IPD60R360P7ATMA1 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit IPD60R360P7ATMA1 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:4V @ 140µA
Vgs (Max):±20V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:PG-TO252-3
Série:CoolMOS™ P7
RDS On (Max) @ Id, Vgs:360 mOhm @ 2.7A, 10V
Ztráta energie (Max):41W (Tc)
Obal:Original-Reel®
Paket / krabice:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ostatní jména:IPD60R360P7ATMA1DKR
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:2 Weeks
Výrobní číslo výrobce:IPD60R360P7ATMA1
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:555pF @ 400V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 650V 9A (Tc) 41W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):650V
Popis:MOSFET N-CH 650V 9A TO252-3
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře