IPD034N06N3 G
IPD034N06N3 G
Part Number:
IPD034N06N3 G
Výrobce:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Popis:
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
17229 Pieces
Datový list:
IPD034N06N3 G.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro IPD034N06N3 G, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IPD034N06N3 G e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit IPD034N06N3 G s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:4V @ 93µA
Vgs (Max):±20V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:PG-TO252-3
Série:OptiMOS™
RDS On (Max) @ Id, Vgs:3.4 mOhm @ 100A, 10V
Ztráta energie (Max):167W (Tc)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ostatní jména:IPD034N06N3 G-ND
IPD034N06N3G
IPD034N06N3GATMA1
SP000451070
Provozní teplota:-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:12 Weeks
Výrobní číslo výrobce:IPD034N06N3 G
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:11000pF @ 30V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:130nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 60V 100A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):60V
Popis:MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře