IPB10N03LB G
Part Number:
IPB10N03LB G
Výrobce:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Popis:
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
15325 Pieces
Datový list:
IPB10N03LB G.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro IPB10N03LB G, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IPB10N03LB G e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit IPB10N03LB G s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:2V @ 20µA
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:PG-TO263-3
Série:OptiMOS™
RDS On (Max) @ Id, Vgs:9.6 mOhm @ 50A, 10V
Ztráta energie (Max):58W (Tc)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Ostatní jména:IPB10N03LBGXT
SP000103305
Provozní teplota:-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):3 (168 Hours)
Výrobní číslo výrobce:IPB10N03LB G
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:1639pF @ 15V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 5V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 30V 50A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Drain na zdroj napětí (Vdss):30V
Popis:MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře