Koupit IKD10N60R s BYCHPS
Koupit se zárukou
IKD10N60R
- Part Number:
- IKD10N60R
- Popis:
- IGBT 600V 20A 150W TO252-3
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 15212 Pieces
- Datový list:
- IKD10N60R.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro IKD10N60R, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IKD10N60R e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 600V |
|---|---|
| VCE (o) (Max) @ VGE, Ic: | 2.1V @ 15V, 10A |
| Zkušební podmínky: | 400V, 10A, 23 Ohm, 15V |
| Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C: | 14ns/192ns |
| přepínání energie: | 590µJ |
| Dodavatel zařízení Package: | PG-TO252-3 |
| Série: | TrenchStop® |
| Reverse Time Recovery (TRR): | 62ns |
| Power - Max: | 150W |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Ostatní jména: | IKD10N60RBTMA1 IKD10N60RINTR SP000629350 |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní číslo výrobce: | IKD10N60R |
| Typ vstupu: | Standard |
| Typ IGBT: | Trench |
| Gate Charge: | 64nC |
| Rozšířený popis: | IGBT Trench 600V 20A 150W Surface Mount PG-TO252-3 |
| Popis: | IGBT 600V 20A 150W TO252-3 |
| Aktuální - sběratel Pulsní (ICM): | 30A |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 20A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IKD10N60R
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
IKD10N60RFAATMA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3 | Dotaz |
|
IKD10N60RATMA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 20A 150W TO252 | Dotaz |
|
IKD10N60RFATMA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3 | Dotaz |
 |
IRG7PH46UD-EP | Infineon Technologies | IGBT 1200V 108A COPAK247 | Dotaz |
|
IKD10N60RAATMA2 | Infineon Technologies | IGBT 600V 20A 150W TO252-3 | Dotaz |
 |
APT102GA60L | Microsemi Corporation | IGBT 600V 183A 780W TO264 | Dotaz |
 |
IXBF32N300 | IXYS | IGBT 3000V 40A 160W ISOPLUSI4 | Dotaz |
 |
RJH60V1BDPP-M0#T2 | Renesas Electronics America | IGBT 600V 16A 30W TO-220FL | Dotaz |
 |
HGTD3N60C3S9A | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 6A 33W TO252AA | Dotaz |
 |
SGH20N60RUFDTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 32A 195W TO3P | Dotaz |
 |
IXGP10N60A | IXYS | IGBT 600V 20A 100W TO220AB | Dotaz |
 |
IXGH25N120A | IXYS | IGBT 1200V 50A 200W TO247AD | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog