Koupit IHW30N110R3FKSA1 s BYCHPS
Koupit se zárukou
IHW30N110R3FKSA1
- Part Number:
- IHW30N110R3FKSA1
- Popis:
- IGBT 1100V 60A 333W TO247-3
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 15877 Pieces
- Datový list:
- IHW30N110R3FKSA1.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro IHW30N110R3FKSA1, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IHW30N110R3FKSA1 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 1100V |
|---|---|
| VCE (o) (Max) @ VGE, Ic: | 1.75V @ 15V, 30A |
| Zkušební podmínky: | 600V, 30A, 15 Ohm, 15V |
| Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C: | -/350ns |
| přepínání energie: | 1.15mJ (off) |
| Dodavatel zařízení Package: | PG-TO247-3 |
| Série: | - |
| Power - Max: | 333W |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-247-3 |
| Ostatní jména: | IHW30N110R3 IHW30N110R3-ND SP000702510 |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 14 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | IHW30N110R3FKSA1 |
| Typ vstupu: | Standard |
| Typ IGBT: | Trench |
| Gate Charge: | 180nC |
| Rozšířený popis: | IGBT Trench 1100V 60A 333W Through Hole PG-TO247-3 |
| Popis: | IGBT 1100V 60A 333W TO247-3 |
| Aktuální - sběratel Pulsní (ICM): | 90A |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 60A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IHW30N110R3FKSA1
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
IHW30N100R | Infineon Technologies | IGBT 1000V 60A 412W TO247-3 | Dotaz |
|
IHW30N100TFKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 1000V 60A 412W TO247-3 | Dotaz |
 |
IRGS8B60KTRLPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 28A 167W D2PAK | Dotaz |
|
IHW30N120R3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 1200V 60A 349W TO247-3 | Dotaz |
|
IHW30N90R | Infineon Technologies | IGBT 900V 60A 454W TO247-3 | Dotaz |
|
IHW30N120R2 | Infineon Technologies | IGBT 1200V 60A 390W TO247-3 | Dotaz |
|
IHW30N160R2 | Infineon Technologies | IGBT 1600V 60A 312W TO247-3 | Dotaz |
 |
RJH60D7DPK-00#T0 | Renesas Electronics America | IGBT 600V 90A 300W TO3P | Dotaz |
|
IHW30N60TFKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 60A 187W TO247-3 | Dotaz |
|
IHW30N90TFKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 900V 60A 428W TO247-3 | Dotaz |
 |
IXXX160N65C4 | IXYS | IGBT 650V 290A 940W PLUS247 | Dotaz |
|
IHW30N135R3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 1350V 60A 349W TO247-3 | Dotaz |
 |
APT25GP90BDQ1G | Microsemi Corporation | IGBT 900V 72A 417W TO247 | Dotaz |
|
IHW30N65R5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V TO247-3 | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog