FQI27N25TU
FQI27N25TU
Part Number:
FQI27N25TU
Výrobce:
Fairchild/ON Semiconductor
Popis:
MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
19373 Pieces
Datový list:
FQI27N25TU.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro FQI27N25TU, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu FQI27N25TU e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit FQI27N25TU s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:I2PAK
Série:QFET®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:110 mOhm @ 12.75A, 10V
Ztráta energie (Max):3.13W (Ta), 180W (Tc)
Obal:Tube
Paket / krabice:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:6 Weeks
Výrobní číslo výrobce:FQI27N25TU
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:2450pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:65nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 250V 25.5A (Tc) 3.13W (Ta), 180W (Tc) Through Hole I2PAK
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):250V
Popis:MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:25.5A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře