FQB13N06LTM
FQB13N06LTM
Part Number:
FQB13N06LTM
Výrobce:
Fairchild/ON Semiconductor
Popis:
MOSFET N-CH 60V 13.6A D2PAK
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
18343 Pieces
Datový list:
FQB13N06LTM.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro FQB13N06LTM, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu FQB13N06LTM e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit FQB13N06LTM s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:2.5V @ 250µA
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:D²PAK (TO-263AB)
Série:QFET®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:110 mOhm @ 6.8A, 10V
Ztráta energie (Max):3.75W (Ta), 45W (Tc)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Provozní teplota:-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní číslo výrobce:FQB13N06LTM
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:350pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:6.4nC @ 5V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 60V 13.6A (Tc) 3.75W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Drain na zdroj napětí (Vdss):60V
Popis:MOSFET N-CH 60V 13.6A D2PAK
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:13.6A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře