Koupit FQA10N80C_F109 s BYCHPS
Koupit se zárukou
| Vgs (th) (max) 'Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-3P |
| Série: | QFET® |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 1.1 Ohm @ 5A, 10V |
| Ztráta energie (Max): | 240W (Tc) |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Ostatní jména: | FQA10N80C_F109-ND FQA10N80C_F109FS FQA10N80CF109 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 13 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | FQA10N80C_F109 |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 2800pF @ 25V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 58nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Rozšířený popis: | N-Channel 800V 10A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-3P |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 800V |
| Popis: | MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 10A (Tc) |
| Email: | [email protected] |