Koupit EPC2100ENGRT s BYCHPS
Koupit se zárukou
EPC2100ENGRT
- Part Number:
- EPC2100ENGRT
- Výrobce:
- EPC
- Popis:
- MOSFET ARRAY 2N-CH 30V DIE
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 18514 Pieces
- Datový list:
- EPC2100ENGRT.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro EPC2100ENGRT, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu EPC2100ENGRT e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Vgs (th) (max) 'Id: | 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA |
|---|---|
| Dodavatel zařízení Package: | Die |
| Série: | eGaN® |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 8 mOhm @ 25A, 5V, 2 mOhm @ 25A, 5V |
| Power - Max: | - |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | Die |
| Ostatní jména: | 917-EPC2100ENGRTR |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 22 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | EPC2100ENGRT |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 380pF @ 15V, 1700pF @ 15V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.5nC @ 15V, 15nC @ 15V |
| Typ FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Rozšířený popis: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 9.5A (Tj), 38A (Tj) Surface Mount Die |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 30V |
| Popis: | MOSFET ARRAY 2N-CH 30V DIE |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 9.5A (Tj), 38A (Tj) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro EPC2100ENGRT
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
EPC2105ENGRT | EPC | MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE | Dotaz |
 |
EPC2103ENGRT | EPC | TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V | Dotaz |
 |
EPC2106ENGRT | EPC | TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE | Dotaz |
|
EPC2102ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE | Dotaz |
|
EPC2101ENGRT | EPC | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | Dotaz |
|
EPC2102ENGRT | EPC | MOSFET ARRAY 2N-CH 60V DIE | Dotaz |
|
EPC2100ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE | Dotaz |
|
EPC2103ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE | Dotaz |
|
EPC2101ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE | Dotaz |
 |
EPC2107ENGRT | EPC | TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE | Dotaz |
|
EPC2104ENGRT | EPC | MOSFET 2NCH 100V 23A DIE | Dotaz |
|
EPC2104ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE | Dotaz |
|
EPC2105ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE | Dotaz |
|
EPC2108ENGRT | EPC | TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE | Dotaz |
 |
EPC2110ENGRT | EPC | TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog