Koupit DMT8012LFG-7 s BYCHPS
Koupit se zárukou
DMT8012LFG-7
- Part Number:
- DMT8012LFG-7
- Výrobce:
- Diodes Incorporated
- Popis:
- MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 13122 Pieces
- Datový list:
- DMT8012LFG-7.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro DMT8012LFG-7, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu DMT8012LFG-7 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Vgs (th) (max) 'Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | PowerDI3333-8 |
| Série: | - |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 16 mOhm @ 12A, 10V |
| Ztráta energie (Max): | 2.2W (Ta), 30W (Tc) |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | 8-PowerWDFN |
| Ostatní jména: | DMT8012LFG-7DITR |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 16 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | DMT8012LFG-7 |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 1949pF @ 40V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 34nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Rozšířený popis: | N-Channel 80V 9.5A (Ta), 35A (Tc) 2.2W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8 |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 6V, 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 80V |
| Popis: | MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 9.5A (Ta), 35A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro DMT8012LFG-7
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
DMT8012LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 80V 9.5A TO252 | Dotaz |
 |
VS-FB180SA10P | Vishay Semiconductor Diodes Division | MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227 | Dotaz |
 |
FQB5N40TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 4.5A D2PAK | Dotaz |
 |
IPP60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 19A TO220-3 | Dotaz |
 |
DMT8012LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8 | Dotaz |
 |
FDPF7N50U_G | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 5A TO-220F | Dotaz |
 |
AO4488L_101 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 8SOIC | Dotaz |
 |
DMT8012LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8 | Dotaz |
|
DMT8012LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8 | Dotaz |
 |
GP1M006A065FH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F | Dotaz |
 |
SIHW33N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AD | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog