Koupit DMS3014SSS-13 s BYCHPS
Koupit se zárukou
DMS3014SSS-13
- Part Number:
- DMS3014SSS-13
- Výrobce:
- Diodes Incorporated
- Popis:
- MOSFET N-CH 30V 10.4A 8SO
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 17693 Pieces
- Datový list:
- DMS3014SSS-13.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro DMS3014SSS-13, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu DMS3014SSS-13 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Vgs (th) (max) 'Id: | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±12V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | 8-SO |
| Série: | - |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 13 mOhm @ 10.4A, 10V |
| Ztráta energie (Max): | 1.55W (Ta) |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Ostatní jména: | DMS3014SSS-13DITR DMS3014SSS13 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 16 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | DMS3014SSS-13 |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 2296pF @ 15V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 45.7nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | Schottky Diode (Body) |
| Rozšířený popis: | N-Channel 30V 10.4A (Ta) 1.55W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 4.5V, 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 30V |
| Popis: | MOSFET N-CH 30V 10.4A 8SO |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 10.4A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro DMS3014SSS-13
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
DMS3016SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 9.8A 8SO | Dotaz |
 |
BUK761R3-30E,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK | Dotaz |
 |
DMS3014SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 9.5A POWERDI | Dotaz |
|
DMS3017SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 8A/6A 8SO | Dotaz |
|
DMS3012SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI | Dotaz |
|
DMS3016SSSA-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 9.8A SO-8 | Dotaz |
|
DMS3012SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8 | Dotaz |
|
DMS3016SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 7A PWRDI3333-8 | Dotaz |
|
DMS3015SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 11A 8SO | Dotaz |
|
DMS3019SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 7A/5.7A 8SO | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers