Koupit DMN2300UFB-7B s BYCHPS
Koupit se zárukou
DMN2300UFB-7B
- Part Number:
- DMN2300UFB-7B
- Výrobce:
- Diodes Incorporated
- Popis:
- MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 17342 Pieces
- Datový list:
- DMN2300UFB-7B.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro DMN2300UFB-7B, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu DMN2300UFB-7B e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Vgs (th) (max) 'Id: | 950mV @ 250µA |
|---|---|
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | X1-DFN1006-3 |
| Série: | - |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 175 mOhm @ 300mA, 4.5V |
| Ztráta energie (Max): | 468mW (Ta) |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | 3-UFDFN |
| Ostatní jména: | DMN2300UFB-7BDI |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 10 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | DMN2300UFB-7B |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 67.62pF @ 20V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.89nC @ 4.5V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Rozšířený popis: | N-Channel 20V 1.32A (Ta) 468mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3 |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 20V |
| Popis: | MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 1.32A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro DMN2300UFB-7B
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
SPD50N03S207GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 | Dotaz |
 |
DMN2320UFB4-7B | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3 | Dotaz |
 |
DMN2300UFD-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN | Dotaz |
 |
DMN2300UFL4-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN | Dotaz |
|
DMN2300UFB4-7B | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN | Dotaz |
 |
DMN2300U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23 | Dotaz |
 |
IRF7701GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP | Dotaz |
|
IRF7705GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 8A 8-TSSOP | Dotaz |
 |
2SK3403(Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 450V 13A TO220FL | Dotaz |
 |
SIS415DNT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 | Dotaz |
 |
FCA22N60N | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 22A TO-3PN | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog