Koupit DMN2005UFG-13 s BYCHPS
Koupit se zárukou
DMN2005UFG-13
- Part Number:
- DMN2005UFG-13
- Výrobce:
- Diodes Incorporated
- Popis:
- MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 12518 Pieces
- Datový list:
- DMN2005UFG-13.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro DMN2005UFG-13, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu DMN2005UFG-13 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Vgs (th) (max) 'Id: | 1.2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±12V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | PowerDI3333-8 |
| Série: | - |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 4.6 mOhm @ 13.5A, 4.5V |
| Ztráta energie (Max): | 1.05W (Ta) |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | 8-PowerWDFN |
| Ostatní jména: | DMN2005UFG-13DITR |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 14 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | DMN2005UFG-13 |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 6495pF @ 10V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 164nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Rozšířený popis: | N-Channel 20V 18.1A (Tc) 1.05W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 2.5V, 4.5V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 20V |
| Popis: | MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 18.1A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro DMN2005UFG-13
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN2005UPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060 | Dotaz |
 |
DMN2004WK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 540MA SC70-3 | Dotaz |
 |
DMN2004DWKQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363 | Dotaz |
 |
DMN2005LP4K-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN | Dotaz |
 |
DMN2005UFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8 | Dotaz |
 |
DMN2004DMK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26 | Dotaz |
 |
DMN2005K-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3 | Dotaz |
 |
DMN2004TK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 0.54A SOT-523 | Dotaz |
 |
DMN2005LPK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 440MA 3-DFN | Dotaz |
 |
DMN2009LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC | Dotaz |
|
DMN2004K-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3 | Dotaz |
 |
DMN2005DLP4K-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN | Dotaz |
 |
DMN2004VK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563 | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog