CSD19535KTTT
Part Number:
CSD19535KTTT
Výrobce:
Popis:
MOSFET N-CH 100V 200A TO263
Stav volného vedení / RoHS:
Obsahuje olovo a RoHS
dostupné množství:
14891 Pieces
Datový list:
CSD19535KTTT.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro CSD19535KTTT, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu CSD19535KTTT e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit CSD19535KTTT s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:3.4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:DDPAK/TO-263-3
Série:NexFET™
RDS On (Max) @ Id, Vgs:3.4 mOhm @ 100A, 10V
Ztráta energie (Max):300W (Tc)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Ostatní jména:296-41135-2
Provozní teplota:-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):2 (1 Year)
Výrobní standardní doba výroby:6 Weeks
Výrobní číslo výrobce:CSD19535KTTT
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:7930pF @ 50V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:98nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 100V 200A (Ta) 300W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):6V, 10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):100V
Popis:MOSFET N-CH 100V 200A TO263
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:200A (Ta)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře