Koupit C3M0280090J-TR s BYCHPS
Koupit se zárukou
C3M0280090J-TR
- Part Number:
- C3M0280090J-TR
- Výrobce:
- Cree
- Popis:
- MOSFET N-CH 900V 11A
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 16983 Pieces
- Datový list:
- C3M0280090J-TR.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro C3M0280090J-TR, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu C3M0280090J-TR e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Vgs (th) (max) 'Id: | 3.5V @ 1.2mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | +18V, -8V |
| Technika: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Dodavatel zařízení Package: | D2PAK-7 |
| Série: | C3M™ |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 360 mOhm @ 7.5A, 15V |
| Ztráta energie (Max): | 50W (Tc) |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Ostatní jména: | C3M0280090J-TRTR |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 8 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | C3M0280090J-TR |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 150pF @ 600V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 9.5nC @ 15V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Rozšířený popis: | N-Channel 900V 11A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount D2PAK-7 |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 15V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 900V |
| Popis: | MOSFET N-CH 900V 11A |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro C3M0280090J-TR
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
C3M0280090J | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH 900V 11A | Dotaz |
 |
C3M0280090D | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH 900V 11.5A | Dotaz |
 |
IXTY1N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 1A TO-252 | Dotaz |
 |
FDP51N25 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 51A TO-220 | Dotaz |
 |
IRF734PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 450V 4.9A TO-220AB | Dotaz |
|
SIHP15N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB | Dotaz |
 |
BUK9880-55,135 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223 | Dotaz |
 |
IRFR3710ZTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 42A DPAK | Dotaz |
 |
IXFX210N17T | IXYS | MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247 | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog