Koupit BSZ0909NSATMA1 s BYCHPS
Koupit se zárukou
BSZ0909NSATMA1
- Part Number:
- BSZ0909NSATMA1
- Popis:
- MOSFET N-CH 34V 9A 8TSDSON
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 14560 Pieces
- Datový list:
- BSZ0909NSATMA1.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro BSZ0909NSATMA1, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu BSZ0909NSATMA1 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Vgs (th) (max) 'Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | PG-TSDSON-8 |
| Série: | OptiMOS™ |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 12 mOhm @ 20A, 10V |
| Ztráta energie (Max): | 2.1W (Ta), 25W (Tc) |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | 8-PowerTDFN |
| Ostatní jména: | BSZ0909NS BSZ0909NS-ND BSZ0909NSTR-ND SP000832568 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 12 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | BSZ0909NSATMA1 |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 1310pF @ 15V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 17nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Rozšířený popis: | N-Channel 34V 9A (Ta), 36A (Tc) 2.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8 |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 4.5V, 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 34V |
| Popis: | MOSFET N-CH 34V 9A 8TSDSON |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 9A (Ta), 36A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro BSZ0909NSATMA1
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
BSZ0901NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON | Dotaz |
 |
SI4892DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC | Dotaz |
|
BSZ0902NS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | Dotaz |
|
BSZ097N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8 | Dotaz |
|
BSZ096N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MV POWER MOS | Dotaz |
 |
IPS050N03LGAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3 | Dotaz |
|
BSZ0902NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8 | Dotaz |
 |
BSZ097N04LS G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 | Dotaz |
 |
BSZ0909NDXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 20A 8WISON | Dotaz |
|
BSZ0904NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON | Dotaz |
 |
BUK9240-100A,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 33A DPAK | Dotaz |
|
BSZ0901NS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V S308 | Dotaz |
|
BSZ099N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MV POWER MOS | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog