BSF134N10NJ3 G
BSF134N10NJ3 G
Part Number:
BSF134N10NJ3 G
Výrobce:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Popis:
MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
13066 Pieces
Datový list:
BSF134N10NJ3 G.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro BSF134N10NJ3 G, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu BSF134N10NJ3 G e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit BSF134N10NJ3 G s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:3.5V @ 40µA
Vgs (Max):±20V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:MG-WDSON-2, CanPAK M™
Série:OptiMOS™
RDS On (Max) @ Id, Vgs:13.4 mOhm @ 30A, 10V
Ztráta energie (Max):2.2W (Ta), 43W (Tc)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:3-WDSON
Ostatní jména:BSF134N10NJ3 G-ND
BSF134N10NJ3G
BSF134N10NJ3GXUMA1
SP000604536
Provozní teplota:-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):3 (168 Hours)
Výrobní standardní doba výroby:10 Weeks
Výrobní číslo výrobce:BSF134N10NJ3 G
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:2300pF @ 50V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 100V 9A (Ta), 40A (Tc) 2.2W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):6V, 10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):100V
Popis:MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:9A (Ta), 40A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře