BSC600N25NS3 G
BSC600N25NS3 G
Part Number:
BSC600N25NS3 G
Výrobce:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Popis:
MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
15107 Pieces
Datový list:
BSC600N25NS3 G.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro BSC600N25NS3 G, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu BSC600N25NS3 G e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit BSC600N25NS3 G s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:4V @ 90µA
Vgs (Max):±20V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:PG-TDSON-8
Série:OptiMOS™
RDS On (Max) @ Id, Vgs:60 mOhm @ 25A, 10V
Ztráta energie (Max):125W (Tc)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:8-PowerTDFN
Ostatní jména:BSC600N25NS3 G-ND
BSC600N25NS3 GTR
BSC600N25NS3G
BSC600N25NS3GATMA1
SP000676402
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:16 Weeks
Výrobní číslo výrobce:BSC600N25NS3 G
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:2350pF @ 100V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:29nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 250V 25A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):250V
Popis:MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:25A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře