BSC105N10LSFGATMA1
BSC105N10LSFGATMA1
Part Number:
BSC105N10LSFGATMA1
Výrobce:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Popis:
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
12559 Pieces
Datový list:
BSC105N10LSFGATMA1.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro BSC105N10LSFGATMA1, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu BSC105N10LSFGATMA1 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit BSC105N10LSFGATMA1 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:2.4V @ 110µA
Vgs (Max):±20V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:PG-TDSON-8
Série:OptiMOS™
RDS On (Max) @ Id, Vgs:10.5 mOhm @ 50A, 10V
Ztráta energie (Max):156W (Tc)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:8-PowerTDFN
Ostatní jména:BSC105N10LSF G
BSC105N10LSF G-ND
SP000388502
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:16 Weeks
Výrobní číslo výrobce:BSC105N10LSFGATMA1
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:3900pF @ 50V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:53nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 100V 11.4A (Ta), 90A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):4.5V, 10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):100V
Popis:MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:11.4A (Ta), 90A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře