BSB008NE2LXXUMA1
BSB008NE2LXXUMA1
Part Number:
BSB008NE2LXXUMA1
Výrobce:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Popis:
MOSFET N-CH 25V 46A 2WDSON
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
17952 Pieces
Datový list:
BSB008NE2LXXUMA1.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro BSB008NE2LXXUMA1, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu BSB008NE2LXXUMA1 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit BSB008NE2LXXUMA1 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:2V @ 250µA
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:MG-WDSON-2, CanPAK M™
Série:OptiMOS™
RDS On (Max) @ Id, Vgs:0.8 mOhm @ 30A, 10V
Ztráta energie (Max):2.8W (Ta), 89W (Tc)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:3-WDSON
Ostatní jména:SP000880866
Provozní teplota:-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:14 Weeks
Výrobní číslo výrobce:BSB008NE2LXXUMA1
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:16000pF @ 12V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:343nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 25V 46A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drain na zdroj napětí (Vdss):25V
Popis:MOSFET N-CH 25V 46A 2WDSON
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:46A (Ta), 180A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře