Koupit BLP8G10S-45PGY s BYCHPS
Koupit se zárukou
BLP8G10S-45PGY
- Part Number:
- BLP8G10S-45PGY
- Výrobce:
- Ampleon
- Popis:
- RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 12530 Pieces
- Datový list:
- BLP8G10S-45PGY.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro BLP8G10S-45PGY, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu BLP8G10S-45PGY e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Napětí - Test: | 28V |
|---|---|
| Napětí - Jmenovitá: | 65V |
| Transistor Type: | LDMOS (Dual), Common Source |
| Dodavatel zařízení Package: | 4-HSOP |
| Série: | - |
| Power - Výstup: | 2.5W |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | 4-BESOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Ostatní jména: | 568-12813-2 934067372518 BLP8G10S-45PGY-ND |
| hluk Obrázek: | - |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 13 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | BLP8G10S-45PGY |
| Získat: | 20.8dB |
| Frekvence: | 952.5MHz ~ 957.5MHz |
| Rozšířený popis: | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 224mA 952.5MHz ~ 957.5MHz 20.8dB 2.5W 4-HSOP |
| Popis: | RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP |
| Jmenovitá hodnota proudu: | - |
| Aktuální - Test: | 224mA |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro BLP8G10S-45PGY
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
BLP8G20S-80PY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12231 | Dotaz |
|
BLP8G10S-45PY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.8DB SOT12231 | Dotaz |
 |
VRF2944 | Microsemi Corporation | MOSF RF N CH 170V 50A M177 | Dotaz |
 |
BLP8G10S-270PWY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT12212 | Dotaz |
 |
BLP8G27-10Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN | Dotaz |
|
BLP8G27-5Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN | Dotaz |
 |
BLP8G05S-200Y | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT11382 | Dotaz |
 |
BLP8G21S-160PVY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12211 | Dotaz |
 |
BLF6G15LS-500H,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 16DB SOT539B | Dotaz |
 |
BLP8G05S-200GY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT12042 | Dotaz |
 |
BLD6G21LS-50,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130B | Dotaz |
 |
BLF184XRGJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214C | Dotaz |
 |
BLF8G24L-200P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539A | Dotaz |
 |
MRFE6P3300HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 863MHZ NI-860C3 | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog