Koupit BLA6H0912L-1000U s BYCHPS
Koupit se zárukou
BLA6H0912L-1000U
- Part Number:
- BLA6H0912L-1000U
- Výrobce:
- Ampleon
- Popis:
- RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539A
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 18889 Pieces
- Datový list:
- BLA6H0912L-1000U.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro BLA6H0912L-1000U, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu BLA6H0912L-1000U e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Napětí - Test: | 50V |
|---|---|
| Napětí - Jmenovitá: | 100V |
| Transistor Type: | LDMOS (Dual), Common Source |
| Dodavatel zařízení Package: | SOT539A |
| Série: | - |
| Power - Výstup: | 1000W |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | SOT539A |
| Ostatní jména: | 1603-1009 934067402112 BLA6H0912L-1000U-ND |
| hluk Obrázek: | - |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 13 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | BLA6H0912L-1000U |
| Získat: | 15.5dB |
| Frekvence: | 1.03GHz |
| Rozšířený popis: | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50V 200mA 1.03GHz 15.5dB 1000W SOT539A |
| Popis: | RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539A |
| Jmenovitá hodnota proudu: | - |
| Aktuální - Test: | 200mA |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro BLA6H0912L-1000U
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
BLA6H0912LS-1000U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539B | Dotaz |
 |
BF245B_J35Z | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 15MA TO92 | Dotaz |
 |
BLA6H0912-500,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT634A | Dotaz |
 |
BLF4G20-110B,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ SOT502A | Dotaz |
 |
PTVA120501EAV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-36265-2 | Dotaz |
 |
MRF6VP21KHR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 110V 225MHZ NI1230 | Dotaz |
 |
CRF24010PE | Cree/Wolfspeed | FET RF 120V 1.95GHZ 440196 | Dotaz |
 |
PXFC192207SHV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | Dotaz |
 |
BLA6H1011-600,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A | Dotaz |
 |
MRF7S19170HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S | Dotaz |
 |
MMRF1006HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 120V 450MHZ NI-1230 | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog