Koupit BLA6G1011-200R,112 s BYCHPS
Koupit se zárukou
BLA6G1011-200R,112
- Part Number:
- BLA6G1011-200R,112
- Výrobce:
- Ampleon
- Popis:
- RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 19855 Pieces
- Datový list:
- BLA6G1011-200R,112.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro BLA6G1011-200R,112, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu BLA6G1011-200R,112 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Napětí - Test: | 28V |
|---|---|
| Napětí - Jmenovitá: | 65V |
| Transistor Type: | LDMOS |
| Dodavatel zařízení Package: | LDMOST |
| Série: | - |
| Power - Výstup: | 200W |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | SOT-502A |
| Ostatní jména: | 568-7544 934063602112 BLA6G1011-200R,112-ND BLA6G1011200R112 |
| hluk Obrázek: | - |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 13 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | BLA6G1011-200R,112 |
| Získat: | 20dB |
| Frekvence: | 1.03GHz ~ 1.09GHz |
| Rozšířený popis: | RF Mosfet LDMOS 28V 100mA 1.03GHz ~ 1.09GHz 20dB 200W LDMOST |
| Popis: | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A |
| Jmenovitá hodnota proudu: | 49A |
| Aktuální - Test: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro BLA6G1011-200R,112
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
A2G22S160-01SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Dotaz |
 |
BLA6G1011L-200RG,1 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502D | Dotaz |
 |
BLA6G1011LS-200RG, | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502C | Dotaz |
 |
PTFA082201EV4XWSA1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 894MHZ H-36260-2 | Dotaz |
 |
BLF2425M7L140,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A | Dotaz |
 |
ATF-331M4-BLK | Broadcom Limited | IC PHEMT LOW NOISE 2GHZ MINIPAK | Dotaz |
|
MRF6S21140HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.12GHZ NI-880S | Dotaz |
 |
MMBF4416LT1G | ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 15MA SOT23 | Dotaz |
|
MRFE6S9201HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 880MHZ NI-780S | Dotaz |
 |
MRFE6S9046GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 960MHZ TO-270-4 | Dotaz |
 |
MRFE6VP6600NR3 | NXP USA Inc. | TRANS RF LDMOS 600W 50V | Dotaz |
|
MRF5S21150HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog