Koupit AFT20S015GNR1 s BYCHPS
Koupit se zárukou
AFT20S015GNR1
- Part Number:
- AFT20S015GNR1
- Výrobce:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Popis:
- FET RF 65V 2.17GHZ TO270-2G
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 17217 Pieces
- Datový list:
- AFT20S015GNR1.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro AFT20S015GNR1, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu AFT20S015GNR1 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Napětí - Test: | 28V |
|---|---|
| Napětí - Jmenovitá: | 65V |
| Transistor Type: | LDMOS |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-270-2 GULL |
| Série: | - |
| Power - Výstup: | 1.5W |
| Obal: | Original-Reel® |
| Paket / krabice: | TO-270-2 Gull Wing |
| Ostatní jména: | AFT20S015GNR1DKR |
| hluk Obrázek: | - |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 10 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | AFT20S015GNR1 |
| Získat: | 17.6dB |
| Frekvence: | 2.17GHz |
| Rozšířený popis: | RF Mosfet LDMOS 28V 132mA 2.17GHz 17.6dB 1.5W TO-270-2 GULL |
| Popis: | FET RF 65V 2.17GHZ TO270-2G |
| Jmenovitá hodnota proudu: | - |
| Aktuální - Test: | 132mA |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro AFT20S015GNR1
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF9210R3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 880MHZ 860C3 | Dotaz |
 |
AFT20S015NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ TO270-2 | Dotaz |
 |
PD85006-E | STMicroelectronics | FET RF 40V 870MHZ PWRSO-10RF | Dotaz |
 |
BLF8G10LS-270,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B | Dotaz |
|
MMRF1015GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 960MHZ | Dotaz |
|
AFT20P140-4WGNR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.91GHZ OM780-4GW | Dotaz |
 |
ARF461AG | Microsemi Corporation | RF MOSFET N-CH 1000V TO247 | Dotaz |
 |
AFT20P140-4WNR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.91GHZ OM780-4 | Dotaz |
 |
BLF8G09LS-400PWJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242B | Dotaz |
 |
BLF7G20LS-250P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539B | Dotaz |
 |
PTF210451F V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 45W H-31265-2 | Dotaz |
 |
BLF6G10-135RN,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502A | Dotaz |
|
AFT20P060-4NR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.17GHZ OM780-4 | Dotaz |
 |
PTRA093302FCV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS 330W H-37248-4 | Dotaz |
 |
MRF6S19140HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.99GHZ NI-880 | Dotaz |
|
AFT20P060-4GNR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.17GHZ OM780-4GW | Dotaz |
 |
NE34018-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ SOT-343 | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog