Koupit AFT09S200W02GNR3 s BYCHPS
Koupit se zárukou
AFT09S200W02GNR3
- Part Number:
- AFT09S200W02GNR3
- Výrobce:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Popis:
- FET RF 70V 960MHZ PLD
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 12225 Pieces
- Datový list:
- AFT09S200W02GNR3.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro AFT09S200W02GNR3, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu AFT09S200W02GNR3 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Napětí - Test: | 28V |
|---|---|
| Napětí - Jmenovitá: | 70V |
| Transistor Type: | LDMOS |
| Dodavatel zařízení Package: | OM-780-2 |
| Série: | - |
| Power - Výstup: | 56W |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | OM-780-2 |
| Ostatní jména: | 935320369528 |
| hluk Obrázek: | - |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 10 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | AFT09S200W02GNR3 |
| Získat: | 19.2dB |
| Frekvence: | 960MHz |
| Rozšířený popis: | RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 960MHz 19.2dB 56W OM-780-2 |
| Popis: | FET RF 70V 960MHZ PLD |
| Jmenovitá hodnota proudu: | - |
| Aktuální - Test: | 1.4A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro AFT09S200W02GNR3
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
AFT09S200W02NR3 | NXP USA Inc. | FET RF 70V 960MHZ PLD | Dotaz |
 |
AFT09MP055GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 40V 870MHZ TO-270 | Dotaz |
 |
AFT09MP055NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 40V 870MHZ TO-270 | Dotaz |
|
AFT09S200W02SR3 | NXP USA Inc. | TRANSISTOR RF LDMOS 4W PLD | Dotaz |
|
AFT09H310-03SR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 70V 920MHZ NI1230S-4S | Dotaz |
|
AFT09MS031GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 40V 870MHZ TO270-2G | Dotaz |
|
AFT09S220-02NR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Dotaz |
|
AFT09S282NR3 | NXP USA Inc. | FET RF 70V 960MHZ OM-780-2 | Dotaz |
 |
AFT09MS007NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog