Koupit AFT05MS031GNR1 s BYCHPS
Koupit se zárukou
AFT05MS031GNR1
- Part Number:
- AFT05MS031GNR1
- Výrobce:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Popis:
- FET RF 40V 520MHZ TO270-2G
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 18345 Pieces
- Datový list:
- AFT05MS031GNR1.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro AFT05MS031GNR1, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu AFT05MS031GNR1 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Napětí - Test: | 13.6V |
|---|---|
| Napětí - Jmenovitá: | 40V |
| Transistor Type: | LDMOS |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-270-2 GULL |
| Série: | - |
| Power - Výstup: | 31W |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | TO-270-2 Gull Wing |
| Ostatní jména: | 935321855528 |
| hluk Obrázek: | - |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 10 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | AFT05MS031GNR1 |
| Získat: | 17.7dB |
| Frekvence: | 520MHz |
| Rozšířený popis: | RF Mosfet LDMOS 13.6V 10mA 520MHz 17.7dB 31W TO-270-2 GULL |
| Popis: | FET RF 40V 520MHZ TO270-2G |
| Jmenovitá hodnota proudu: | - |
| Aktuální - Test: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro AFT05MS031GNR1
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF10M6135U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502A | Dotaz |
 |
PD85015TR-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | Dotaz |
 |
AFT05MP075GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 40V 520MHZ TO270-4 | Dotaz |
 |
PTFA080551FV4R0XTMA1 | Infineon Technologies | RF MOSFET LDMOS 28V H-37265-2 | Dotaz |
 |
AFT05MS031NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 40V 520MHZ TO-270-2 | Dotaz |
 |
BLD6G21L-50,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130A | Dotaz |
 |
AFT05MS006NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 30V 520MHZ PLD | Dotaz |
 |
AFT05MS004NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 30V 520MHZ PLD | Dotaz |
|
PTFB212503ELV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-33288-6 | Dotaz |
 |
AFT05MP075NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 40V 520MHZ TO270-4 | Dotaz |
 |
MRF7S19080HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 | Dotaz |
|
AFT05MS003NT1 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Dotaz |
|
PD20010-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | Dotaz |
 |
MRF7S19170HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ NI-880 | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog