Koupit A2I08H040GNR1 s BYCHPS
Koupit se zárukou
A2I08H040GNR1
- Part Number:
- A2I08H040GNR1
- Výrobce:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Popis:
- IC RF LDMOS AMP
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 18222 Pieces
- Datový list:
- A2I08H040GNR1.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro A2I08H040GNR1, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu A2I08H040GNR1 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Napětí - Test: | 28V |
|---|---|
| Napětí - Jmenovitá: | 65V |
| Transistor Type: | LDMOS (Dual) |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-270WBG-15 |
| Série: | - |
| Power - Výstup: | 9W |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | TO-270-15 Variant, Gull Wing |
| Ostatní jména: | 935320823528 |
| hluk Obrázek: | - |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 10 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | A2I08H040GNR1 |
| Získat: | 30.7dB |
| Frekvence: | 920MHz |
| Rozšířený popis: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 25mA 920MHz 30.7dB 9W TO-270WBG-15 |
| Popis: | IC RF LDMOS AMP |
| Jmenovitá hodnota proudu: | - |
| Aktuální - Test: | 25mA |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro A2I08H040GNR1
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
PTFB193408SVV1XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS H-34275G-6/2 | Dotaz |
 |
BLF2425M7L250P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 15DB SOT539A | Dotaz |
 |
BLF878,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 89V 21DB SOT979A | Dotaz |
 |
BLF6G27-135,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V SOT502A | Dotaz |
 |
NE3514S02-T1C-A | CEL | HJ-FET NCH 10DB S02 | Dotaz |
 |
A2I08H040NR1 | NXP USA Inc. | IC RF LDMOS AMP | Dotaz |
 |
MRF6V13250HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 120V 1.3GHZ NI780S | Dotaz |
|
MRF9045LSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 945MHZ NI-360S | Dotaz |
|
PTRA093302DC V1 R250 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS 330W H-49248H-4 | Dotaz |
 |
NE3515S02-T1D-A | CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | Dotaz |
|
PTFC270051MV2R1KXUMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | Dotaz |
 |
BLF647P,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog