2SK3666-4-TB-E - ON Semiconductor - Tranzistory - JFET 2SK3666-4-TB-E

2SK3666-4-TB-E

Part Number:: 2SK3666-4-TB-E

Výrobce:: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Popis:: JFET N-CH 30V 0.2W CP

Stav volného vedení / RoHS:: Bez olova / V souladu RoHS

dostupné množství:: 16668 Pieces

Datový list:: 2SK3666-4-TB-E.pdf

Dotaz

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro 2SK3666-4-TB-E, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu 2SK3666-4-TB-E e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.

Koupit 2SK3666-4-TB-E s BYCHPS

Koupit se zárukou

Specifikace

Napětí - Cutoff (VGS off) 'Id:	180mV @ 1µA
Napětí - Breakdown (V (BR) GSS):	30V
Dodavatel zařízení Package:	3-CP
Série:	-
Odolnost - RDS (On):	200 Ohm
Power - Max:	200mW
Obal:	Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Provozní teplota:	150°C (TJ)
Typ montáže:	Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):	1 (Unlimited)
Výrobní číslo výrobce:	2SK3666-4-TB-E
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:	4pF @ 10V
Typ FET:	N-Channel
Rozšířený popis:	JFET N-Channel 2.5mA @ 10V 200mW Surface Mount 3-CP
Drain na zdroj napětí (Vdss):	30V
Popis:	JFET N-CH 30V 0.2W CP
Aktuální Drain (Id) - Max:	10mA
Proud - Drain (IDS) @ VDS (Vgs = 0):	2.5mA @ 10V
Email:	[email protected]

Související díly pro 2SK3666-4-TB-E

Part Number	Výrobci	Popis	Pohled
MMBFJ175LT1	ON Semiconductor	JFET P-CH 30V 0.225W SOT23	Dotaz
2SK3666-2-TB-E	ON Semiconductor	JFET NCH 30V 200MW 3CP	Dotaz
2SK3666-3-TB-E	ON Semiconductor	JFET N-CH 10MA 200MW 3CP	Dotaz
2N4856JTX02	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V 50MA TO-18	Dotaz

Úvod

Specifikace

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Latest News